26年WP材料物理 SES前驱物退火生长ZnSe薄膜的性能研究10.71-AI46.21-约18191字符.pdf

WHKJ大学本科毕业论文Ⅰ摘要ZnSe 是典型的 Ⅱ-Ⅵ 族直接宽禁带半导体, 组成元素低毒性，兼具可见光 - 红外高透过率与优异光电特性，是光电子器件、红外光学系统的核心候选材料。本研究以低成本金属 Zn 靶与 Se 粉为原料，采用溅射 - 蒸发 - 溅射（SES）结合 400℃氩气退火工艺，在石英衬底上制备 ZnSe 薄膜，系统探究蒸发电流对薄膜结构与性能的影响。结果表明：所有退火样品均生成纯相立方闪锌矿 ZnSe，晶粒尺寸稳定在 22-26nm；随蒸发电流升高，薄膜 Se/Zn 原子比从 0.46 提升至 0.55，硒缺失问题得到改善，可见光区平均透过率从 40% 提升至...