26年WP材料物理前驱物退火生长CdSe薄膜材料研究21.52-AI20.38-约15734字符.pdf

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WHKJ大学本科毕业论文I摘要作为一种重要的直隙半导体材料，CdSe 在室温下其带隙约为 1.7eV，具有好的热稳定性和化学稳定性，在太阳能电池、光探测器等许多领域都有广泛应用。本文使用了溅射-蒸发-溅射方法，先沉积前驱膜，然后退火得到 CdSe 薄膜，溅射过程使用良好导热性的镉金属靶材替代 CdSe 陶瓷靶材。以 XRD 对薄膜进行晶体结构分析，以 SEM观察其表面形貌，以 UV-VIS 透射光谱和发光谱对薄膜样品光透光率、微观结构进行分析，研究前驱物退火前后的生长机理。研究结果表明，前驱膜退火后转变为六方的 CdSe 薄膜。随着溅射时间增加，CdSe薄膜的晶粒尺寸...

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