26年CH通信工程掺Zn氧化镓薄膜的研究-全日制终稿(10752字).docx

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I掺 Zn 氧化镓薄膜的研究物理与信息工程学院通信工程专业 220307039 陈麓宝指导教师潘淼副教授摘要作为一种超宽带隙半导体材料，氧化镓（Ga2O3）凭借其极高的击穿场强和优异的热稳定性，在大功率、高频和抗辐射电子器件中具有重要的应用价值。然而，对其本征导电类型的精确控制仍是制约 Ga2O3器件产业发展的核心瓶颈。为了探索锌掺杂对 Ga2O3薄膜电学性能的影响，本研究采用磁控溅射法制备了锌掺杂的 Ga2O3薄膜。实验通过以 270W 的功率溅射 Ga2O3靶材 1.5 小时形成基底薄膜，通过控制 zn 掺杂时间来实现轻掺和重掺，制备完毕后，部分样品退火处理...

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