II摘 要磁阻效应对半导体材料在外加磁场时电阻会发生明显的变化，在磁场检测、传感器、信息存储以及电流测量等方面的应用十分广泛。本文基于锑化铟(InSb)磁阻传感器进行实验，在固定的工作电流情况下，观察不同的磁场强度对应的传感器电压及电阻，寻找电阻相对变化率与磁场强度 B 之间的关系并进行数据分析、作图以及曲线拟合。本文理论部分详细介绍了霍尔效应及磁阻效应的本质，即洛伦兹力、霍尔电场以及载流子运动方式对电阻的作用；实验部分使用标准磁阻效应实验仪器，在改变磁场条件下用电流源和数字电压表读取数值；数据分析部分展示了全部测量结果并对其在弱磁...
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