26年WP材料物理硫化退火制备CdS薄膜的结构和光学性能23.28-AI22.56全日(10033字).docx

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WHKJ 大学本科毕业论文 I摘要CdS 作为典型Ⅱ-Ⅵ 族 n 型直接带隙半导体，室温下带隙约 2.4 eV，具备高透光率、优异的电学性能与化学稳定性，在薄膜太阳能电池、光电探测器、气敏传感器等光电器件中应用广泛。本文采用磁控溅射 Cd 金属靶制备前驱体薄膜，结合硫气氛退火工艺制备 CdS 薄膜，通过 X 射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见分光光度计（UV-Vis）与慢正电子束多普勒展宽能谱（DBS）对薄膜性质进行表征，研究退火温度对薄膜晶体结构、表面形貌、元素组分与光学性能的影响。研究结果发现：硫气氛退火可使前驱体充分硫化，形成六方...

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