26年WP材料物理铁氧体砷化镓异质结界面电子结构模拟研究4.79-AI47.9全日(13112字).docx

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WHKJ 大学本科毕业论文I摘要铁氧体/砷化镓（GaAs）异质结在自旋电子学器件中具有重要应用前景，但其界面电子结构及电荷转移机制尚不明确。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，系统研究了 CoFe₂O₄/GaAs(001)异质结的界面构型、电子性质和磁性特征。利用Materials Studio 构建了 Fe-O 端接与 GaAs-Ga 端接（Model A）以及 Fe-O 端接与 GaAs-As 端接（Model B）两种界面模型，通过 CASTEP 模块进行结构弛豫与电子结构计算，采用 GGA+U 方法处理 Fe、Co 的强关联电子。结合能计算表明，Model A（Fe-O//Ga）为更稳定构型，界面间距弛豫至 2...

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