26年WP材料物理 铁氧体砷化镓异质结磁性和电输运性质研究3.58-AI86.41全日(11228字).docx

IWHKJ 大学本科毕业论文摘 要后摩尔时代，半导体器件持续微型化，传统硅基电子器件逼近物理极限，面临载流子迁移率受限、功耗攀升、量子效应凸显等难题，难以满足新一代信息技术需求。砷化镓（GaAs）作为Ⅲ-Ⅴ 族典型化合物半导体，具有超高载流子迁移率与宽禁带优势，是高频晶体管理想衬底。铁氧体中的四氧化三铁（Fe3O4）为半金属亚铁磁材料，具备室温铁磁性，可与半导体形成高质量异质结。将 Fe3O4外延生长于 GaAs 衬底，能实现铁磁材料与高迁移率半导体集成，既利用 GaAs 载流子输运特性，又通过 Fe3O4提供自旋极化注入通道，为新型器件提供核心支撑。本论...