26年WP电子科学与技术共溅射法制备氧化铟镓锌薄膜晶体管及其电学性能优化设计5.59-AI10.41全日(19301字).docx

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IWHKJ 大学本科毕业设计摘要随着大尺寸、高分辨率平板显示技术的发展，传统单一靶材制备的非晶氧化铟镓锌（IGZO）薄膜晶体管（Thin-Film Transistor，TFT）面临成分调控固化与场效应迁移率瓶颈等技术局限。为解决上述问题，本研究采用双靶材（Ga2O3和 IZO 靶材）共溅射的方法来制备 IGZO TFT，旨在制备出成分可控的高性能 IGZO 薄膜晶体管，并通过调控成分比例，探索出能兼顾高迁移率与强稳定性的制备工艺。基于此，本研究在固定双靶材溅射功率（Ga2O3 40 W，IZO 40 W）的前提下，构建了 2 至 5 分钟的共溅射时间梯度矩阵，制备出不同组分的 IGZO TF...

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