26年WP材料物理 溅射时间对退火所得ZnSe薄膜性能的影响8.56-AI13.22-约17362字符.pdf

WHKJ大学本科毕业论文I摘要作为一种重要的直接跃迁型宽带隙半导体材料，ZnSe 在太阳能电池、发光、光催化等许多领域都有广泛应用。ZnSe 薄膜制备技术有多种，其中磁控溅射具有沉积速率快、附着力好、均匀等优点，是常用的物理气相沉积技术之一。本文选择了用溅射-蒸发-溅射(SES)这种方法在石英玻璃衬底上沉积前驱体，然后退火转化为 ZnSe 薄膜。使用了 X 射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能量色散光谱仪(EDS)、紫外-可见分光光度计和荧光(FL)研究了溅射时间对 ZnSe 薄膜的性能影响。研究表明，溅射时间对 SES 工艺制备的 ZnSe 薄膜的晶体结构、表面微观形貌、...