26年WP电子科学与技术钨掺杂对氧化铟锡薄膜晶体管电学性能的调控设计16.9-AI39.7全日(19843字).docx

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IWHKJ 大学本科毕业设计摘要氧化铟锡（ITO）薄膜具有高透过率、低电阻率和良好工艺兼容性等优点，但其本征载流子浓度较高，存在着关态电流偏大、阈值电压偏负和栅控能力不足等问题。本文围绕钨掺杂对 ITO TFT 电学性能的调控作用进行研究，探索适合低功耗氧化物 TFT应用的沟道层材料与工艺条件。本文采用射频磁控共溅射方法制备不同钨掺杂浓度的 ITO 薄膜，通过固定 ITO 靶溅射功率并调节 W2O3靶溅射功率实现掺杂浓度控制，从而调控 ITO 薄膜中钨的掺杂浓度。随后利用半导体参数分析仪测试 TFT 转移特性曲线，进一步提取关态电流、开态电流、电流开关比...

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