26年WP电子科学与技术基于氧化铟氧化铟镓叠层的薄膜晶体管器件设计5.77-AI41.18-约20774字符-全日.pdf

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WHKJ大学本科毕业设计I摘要本设计为了打破单一氧化物半导体载流子迁移率存在的瓶颈，提出了一种同时具备高迁移率、高稳定性和低制造成本的叠层薄膜晶体管（Thin Film Transistors，TFT）。传统氧化铟镓锌（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO）TFT 这类材料自身稳定性较好，但迁移率相对较低，无法满足新型显示技术越来越高的使用要求。本研究构建氧化铟（In2O3）与氧化铟镓（Indium gallium zinc，IGO）薄膜的异质结叠层沟道，结合 In2O3的高迁移率优势与 IGO 的良好开关特性实现，器件各方面性能可得到协同增强，能够为高分辨率、低功耗显示背板的提供新的...

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