26年WP金属材料工程 Fe掺杂MgO插层对NiO基阻变存储器性能的研究27.16-AI4.77-约21425字符.pdf

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WHKJ大学本科毕业论文I摘要随着大数据、人工智能和物联网技术的快速发展，传统非易失性存储器面临特征尺寸微缩的物理极限，亟需开发新型存储技术。由于氧化物的电阻随机存取存储器（RRAM）因其优异的可扩展性、快速操作速度以及与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的良好兼容性，被广泛视为下一代非易失性存储器的重要候选技术。不过传统氧化物基RRAM 在实际应用中仍面临关键挑战：在器件工作过程中，因为氧气空位的随机产生与迁移和导电细丝（CF）不可控的生长与断裂，导致开关参数在不同循环周期及不同器件之间出现显著波动，进而造成严重的开关不均匀性和可靠性问题...

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