I摘 要碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的核心代表，在高温、高频、高功率电子器件领域展现出远超传统硅基材料的应用潜力。物理气相传输（PVT）法是当前生长 SiC 单晶衬底的主流技术，而高纯 SiC 粉体作为晶体生长所需的唯一原料来源，它的纯度、晶型、粒径等物性参数对单晶质量起决定性作用，从而进一步决定 SiC 单晶的电学性能与器件的可靠性。目前，我国在高纯 SiC 粉体领域虽已取得重要突破，但在纯度一致性、粒径分布均匀性等方面与国际先进水平仍存在差距，部分高端粉料依赖进口。因此，系统研究高纯 SiC 粉体的制备工艺与性能调控机制，具有很...
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