26年WP材料物理 溅射制备CdS薄膜的生长机理研究11.9-AI35.72-约19461字符.pdf

WHKJ大学本科毕业论文 I 摘 要 CdS 因具有合适的禁带宽度(2.42 eV)、高可见光透过率和高吸收系数，在薄膜太阳电池、光探测器和光催化等领域应用十分广泛。本文提出以反应磁控溅射法在室温下制备了 CdS 薄膜，并利用 X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)研究了溅射气压和退火温度对薄膜结构、形貌、成分及光学性能的影响。研究结果表明，溅射气压对沉积薄膜的生长和性能具有重要影响。随着溅射气压从 2Pa 逐渐增加，薄膜的物相组成由金属 Cd 向 CdS 转变，S 与 Cd 的原子比在 0.17 至 1.20 范围内...