哈尔滨理工大学学士学位论文- I -4H-SiC 掺杂与应变的第一性原理计算摘 要4H-SiC 属于第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度较大、临界击穿电场较高、热导率较高和化学稳定性较好等特点，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通以及高温大功率器件中具有重要应用价值。材料的电学性能不仅和本征晶体结构有关，也会受到掺杂元素、掺杂浓度、掺杂位置以及外部应变的影响。本文基于密度泛函理论，采用 Materials Studio 软件中的CASTEP 模块，对 N 元素和 Fe 元素掺杂 4H-SiC，以及ｃ轴拉伸应变下的电子结构变化进行了第一性原理计算。计算中主要通过能带结构和电...
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