哈尔滨理工大学学士学位论文- I -点缺陷及掺杂对 GaN 光电性能与磁性的影响摘 要氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体的核心材料，凭借直接带隙、高击穿电场、高热导率与优异化学稳定性，在光电子器件、高频功率器件及自旋电子学领域具备重要应用价值。点缺陷与掺杂是调控 GaN 微观电子结构、光电特性及磁学性能的关键手段，其作用机制直接决定器件性能与功能边界。然而，实际生长的 GaN 晶体中常存在各类本征点缺陷，同时其本征非磁性也限制了在自旋电子学领域的应用。采用点缺陷工程和过渡金属掺杂，可有效调控其光电性能与磁性。本文基于 DFT 密度泛函理论...
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