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哈尔滨理工大学学士学位论文二硫化钼半导体特性第一性原理分析与研制摘要随着对芯片功能的需求越来越高以及对电子设备便携性的需要，提高芯片性能的同时研制出更小尺寸的芯片已经是集成电路领域的热点问题。国际器件与系统线路图已将二维半导体材料列为后摩尔时代延续芯片微缩的核心技术路径之一。传统的硅基互补金属氧化物半导体技术在缩小尺寸上已接近物理极限，面对着沟道材料性能衰退的极大挑战，促使学者对新型沟道材料进行研究。作为二维过渡金属硫族化合物，二硫化钼（Molybdenum Disulfide，MoS₂）具...

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