哈尔滨理工大学学士学位论文- I -基于 GaN 基紫外 Micro-LED 阵列的无掩膜光刻研究摘 要传统光刻技术在半导体加工和微纳制造领域得到了广泛应用，但其高度依赖掩膜版，存在制作成本高、周期长以及图形修改不便等问题，难以适应快速迭代和小批量定制加工的需求。相比之下，无掩膜光刻无需制作专用掩膜版，具有图形可编程、工艺灵活和加工效率较高等优点，因此逐渐成为微纳制造领域的重要研究方向。紫外 Micro-LED 阵列具有亮度高、响应快、易于阵列化和可独立寻址等优点，在无掩膜光刻中也表现出较好的应用潜力。本文围绕 GaN 基紫外 Micro-LED 阵列在无掩膜...
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