26年WP应用物理学 MoS2垂直功率MOSFET器件击穿电压调控研究19.81-AI2.11(17651字).docx

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哈尔滨理工大学学士学位论文- I -基于 MoS2垂直功率 MOSFET 器件击穿电压调控研究摘要二硫化钼（MoS2）属于典型的二维半导体材料，其单层结构的厚度仅仅只有 3 个原子，厚度大约在 0.4 到 0.6 纳米之间，被视作未来有希望去替代硅材料的核心候选其中的一个。对比传统硅基材料，二硫化钼（MoS2）具有独特的优势：它因为原子层级别的厚度以及很好的静电调控的能力，能够在晶体管不断地持续微小缩小的时候有效地抑制短沟道效应还有电流泄漏的情况，从而去攻克硅基器件接近物理极限的时候性能降低的这个难题。但是当下二硫化钼（MoS2）仍然存在大尺寸的晶圆能够...

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