26年WH物理学 Bi₂Se₃基三维拓扑绝缘体的制备技术研究进展3.25-AI39.56-约12185字符.docx

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IIHBSFDX 本科生毕业论文摘要自拓扑解体被理论预言并实验证实以来，因为 Bi₂Se₃ 较大的体带隙和理想的狄拉克表面态（体带隙约为 0.3eV），使它成为了三维拓扑绝缘体中重要的材料之一，使它在低功耗电子器件、自旋电子学、光电探测以及拓扑量子计算等领域有着重要的应用前景。但其本征晶体中存在的硒空位缺陷，显著增加了体相载流子的浓度，导致体电导过高，掩盖了拓扑表面态的输运信号，严重的制约了本征物性研究与器件应用，所以发展高质量可控的制备技术，实现其维度、组分、缺陷密度以及界面及结构的精准调控，成为了尤为重要的一步。本文系统综述 Bi₂Se₃...

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