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GaN 功率放大器热设计中金刚石的应用解析 • 2022-09-07 1 摘要：随着 GaN 功率放大器 向小型化、大功率发展， 其热耗不断增加， 散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达２ ０００ Ｗ／ （ｍ·Ｋ）， 是一种极具竞争力的新型散热材料， 可用作大功率器件的封装载片。采用不同载片材料对一款热耗为 ５３ Ｗ 的 GaN 功率放大器 进行封装。分别采用有限元仿真及红外 热成像仪对放大器的芯片结温进行仿真和测试 ，结果显示， 采用金刚石载片封装的放大器的结温比采用钼铜（ＭｏＣｕ３０） 载片封装的放大器的结温降低了 ...